ReRAM(阻變存儲器)是當下最有前景的新型非易失性存儲介質(zhì)之一，其器件結(jié)構(gòu)簡單，操作方式簡捷，具有面積小、微縮化發(fā)展、高讀寫速度、低功耗、低成本，以及CMOS工藝兼容等特點。數(shù)據(jù)顯示，ReRAM的讀寫速度是當前主流存儲技術(shù)NAND的1000倍，同時功耗可以降低15倍。

當前多家知名半導體公司都在嘗試布局ReRAM。松下在2013年開始出貨ReRAM，成為了世界率先出貨ReRAM的公司之一。2016年11月，富士通半導體開始銷售其與松下共同開發(fā)的4兆字節(jié)(MB)ReRAM芯片。國內(nèi)昕原半導體基于Metal Wire工藝，在ReRAM器件的設計和制造工藝已經(jīng)實現(xiàn)了全國產(chǎn)化，公司也宣布已完成業(yè)界首款28nm制程ReRAM芯片流片。

此外，索尼、Adesto、Rambus、美光、東芝、三星、臺積電、中芯國際等設計或制造廠商，也在以獨立或合作開發(fā)的形式，向ReRAM的研究和普惠化商業(yè)應用發(fā)起沖擊。

目前最早實現(xiàn)存算一體技術(shù)在商業(yè)化落地的是一家國外的公司，不過由于其選用了傳統(tǒng)Flash存儲介質(zhì)，并且走的是模擬計算路線，比較適合對運算精度和算力要求不高的場景，但對于AI大算力這一場景來說，在精度和算力大小上，均存在較大的技術(shù)瓶頸。

因而使用新型存儲介質(zhì)，走數(shù)字化方向，才是當前工業(yè)界共識，既能做到模擬領(lǐng)域的優(yōu)良能效比，又有數(shù)字領(lǐng)域的高可靠性。

熊大鵬介紹，億鑄基于ReRAM的AI芯片目前仍處于開發(fā)過程中，預計明年一季度實現(xiàn)投片。“從仿真結(jié)果以及工程樣片的性能測試綜合考慮來看，相比傳統(tǒng)架構(gòu)芯片，能效比得到了至少十倍以上的提升。”

熊大鵬表示，億鑄第一代存算一體商用大算力芯片將基于28nm工藝生產(chǎn)，其算力比肩7nm先進工藝制程的AI大算力芯片，在同等算力下可以實現(xiàn)十倍以上能效比。

另外，在此前海外國家對高性能GPU在國內(nèi)禁售的風波后，國內(nèi)企業(yè)也越來越意識到AI大算力芯片新架構(gòu)、新材料的重要性。熊大鵬表示，相比傳統(tǒng)AI芯片架構(gòu)，億鑄科技基于ReRAM的存算一體AI大算力芯片不僅在能效比上具有優(yōu)勢，在算法部署的難度上也較傳統(tǒng)架構(gòu)的AI芯片大大降低。

在商業(yè)化落地方面，據(jù)熊大鵬介紹，由于芯片本身具有非常強的通用性，基于Chiplet進行設計，可以針對不同場景做不同封裝。當前安防、互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容推薦，乃至自動駕駛等，都是顯見的應用場景。